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跨越制程甚至次元,英特尔的封装大法又升级了

导语:在旧金山举办的SEMICON West大会上,英特尔发布了一套全新的封装技术以及相应的基础工具,他们将嵌入式多芯片互连桥接EMIB与Foveros 3D封装技术结合运用,并推出 ...
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[电脑硬件] 跨越制程甚至次元,英特尔的封装大法又升级了

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在旧金山举办的SEMICON West大会上,英特尔发布了一套全新的封装技术以及相应的基础工具,他们将嵌入式多芯片互连桥接EMIB与Foveros 3D封装技术结合运用,并推出了全方位互联(ODI, Omni-Directional Interconnect)技术。这意味着混合制成芯片又再次向前迈进了一步,同一块芯片能够以更低廉的成本创造出更多性能、功能和价值。

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通过这项技术,英特尔希望将芯片和小芯片封装在一起,达到单晶片系统级芯片的性能。使之能够在新的多元化模块中将各种IP和制程技术与不同的内存和I/O单元混搭起来。

由于英特尔的垂直集成结构在异构集成的时代独具优势,他们能够对架构、制程和封装同时进行优化,从而交付领先的产品。

封装不仅仅是制造过程的最后一步,它正在成为产品创新的催化剂。先进的封装技术能够集成多种制程工艺的计算引擎,实现类似于单晶片的性能,但其平台范围远远超过单晶片集成的晶片尺寸限制。这些技术将大大提高产品级性能和功效,缩小面积,同时对系统架构进行全面改造。

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混合制成封装被看成未来趋势之一,通过先进制成(例如10纳米)核心与高产量制成(例如22纳米)核心,可以加快产品的推进周期。同时,英特尔也是业内第一个做到完整3D封装通用方案的厂商。

在SEMICON West大会上,英特尔分享了三项新技术,分别是:

Co-EMIB:英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)2D封装和Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术,实现高带宽、低功耗,并实现相当有竞争力的I/O密度。而英特尔的全新Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连,基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

ODI:英特尔的全新全方位互连技术(ODI)为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信,同时还可以像Foveros技术下一样,通过硅通孔(TSV)与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电,这种大通孔比传统的硅通孔大得多,其电阻更低,因而可提供更稳定的电力传输,同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时,这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量,为有源晶体管释放了更多的面积,并优化了裸片的尺寸。

MDIO:基于其高级接口总线(AIB)物理层互连技术,英特尔发布了一项名为MDIO的全新裸片间接口技术。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计,能够提供更高能效,实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。

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在此之前,英特尔曾经与AMD合作,推出了三款混合封装的融合芯片Core i7-8809G、Core i7-8806G、Core i7-8805G,将Kaby Lake与AMD Vega封装在一起,并成功用于量产XPS 15 2in1、冥王峡谷NUC上,不仅使得机器结构更为简单,性能表现也颇为亮眼。

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来源:爱活网  作者:penylo

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